Design of Hydrogen Gas Sensor Based on Metal Oxide Semiconductor (MOS)

摘要

Sebuah perancangan sensor untuk mendeteksi kebocoran gas hidrogen pada saluran pipa tertutup telah berhasil dilakukan. Sensor yang digunakan berbasis bahan semikonduktor berbahan metal oksida. Sistem yang dirancang adalah dengan membandingkan nilai resistansi awal sensor tanpa gas hidrogen (Ro) dengan resistansi pada saat terdapat gas hidrogen (Rs). Nilai perbandingan tersebut akan dikonversi untuk menentukan kadar konsentrasi gas dalam skala ppm menggunakan persamaan yang diperoleh berdasarkan datasheet sensor yang telah diberikan. Pada saat kebocoran gas betekanan rendah, yakni pada konsentrasi (ppm) rendah, diperoleh waktu respon sensor bernilai 300 s sedangkan pada kondisi gas betekanan tinggi, yakni pada konnsentrasi tinggi, diperoleh nilai kurang dari 150 s. Akurasi pengukuran resistansi didapatkan masih berada dalam jangkauan karakteristik sensor. Design of hydrogen gas sensor to detect hydrogen gas leakage in the pipe has been done. The sensor is based on metal oxide semiconductor. The typical working system of the semiconductor sensor is based on comparison of the resistance in the system, i.e. resistance without hydrogen gas (Ro) and with hydrogen gas (Rs). The gas concentration (ppm) is determined by using an equation derived from the datasheet given. The response time for low concentration is 300 sec and less than 150 sec for high concentration. Furthermore, the measurement accuracy of resistance is still on the range of the characteristics refer to the sensor.